老友网B:漏、源、栅
C:源、漏、栅
D:以上都不是
答案: 【栅、源、漏】
9、问题:金属和n型半导体接触，如果fmfs，会形成 肖特基 接触；其中 接触具有整流效应。
选项：
A:肖特基、欧姆、欧姆
B:欧姆、肖特基、肖特基
C:欧姆、肖特基、欧姆
D:肖特基、欧姆、肖特基
答案: 【欧姆、肖特基、肖特基】
见面课：半导体物理基本概念
1、问题:AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
2、问题:半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、问题:PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
4、问题:半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
5、问题:硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
6、问题:GaAs晶体是_结构
选项：
A:金刚石
B:闪锌矿
C:体心
D:面心
答案: 【闪锌矿】
7、问题:有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是_____eV
选项：
A:1.4
B:1.0
C:1.2
D:以上都不可能
答案: 【1.4】
8、问题:如下图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体＿＿＿＿＿＿＿＿ EC―――――――― EF ＿＿＿＿＿＿＿＿ EV
选项：
A:n型
B:p型
C:本征
D:以上都不是
答案: 【n型】
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