第三代半导体材料具有( )等特点,适用于高温.高频.抗辐射及大功率器件的制作。 A.宽的禁带宽度 B.高的热导率 C.高的击穿电场 D.高的抗辐射能力 正确答案:ABCD 老友网www.andlaou.com免费为你分享